삼성전자가 세계 최초로 4Gb DDR3 D램 양산에 들어가며 대용량 D램 시장 선점에 나선다.

회사측은 지난해 1월 50나노급 공정을 이용해 세계 최초로 개발한 4Gb DDR3 D램을 이달부터 40나노급 최신 공정을 이용해 양산한다고 24일 밝혔다.

<사진제공=삼성전자>

이 회사는 지난 2005년 6월 세계 최초로 1Gb DDR2 D램 양산을 시작했고, 2007년 9월 2Gb DDR2 D램 양산에 이어, 이번에 4Gb DDR3 D램을 양산하며 대용량 D램의 세계 최초 양산 기록을 이어 가게 됐다.

이번에 양산에 들어가는 4Gb DDR3 D램으로 ▲서버용 32GB·16GB 모듈 ▲워크스테이션·데스크 탑 PC용 8GB 모듈 ▲노트북 PC용 8GB 모듈 등 기존 대비 용량이 두 배인 대용량 메모리 모듈 제품을 공급한다.

4Gb DDR3 D램은 2Gb DDR3 D램보다 성능을 강화해 1.35V와 1.5V의 동작전압을 지원하고, 데이터 처리 속도는 최대 1.6Gbps로 높였다.

삼성전자는 지난해 7월 40나노급 2Gb DDR3 D램을 양산하면서 최대 16GB 용량까지 모듈 제품을 공급해 온 데 이어, 이번 4Gb DDR3 D램 양산으로 업계 최초로 최대 32GB 용량의 모듈을 공급할 수 있게 됐다.

또한 40나노급 2Gb와 4Gb DDR3 D램을 동시에 양산해 4GB에서 32GB까지 업계 최대의 DDR3 D램 제품군을 확보하게 됐다고 설명했다.

회사측은 4Gb DDR3 D램 기반의 대용량 모듈로 프리미엄 서버에서 고성능 노트북까지 프리미엄 D램 시장을 창출해 나갈 계획이다.

이번에 업계 최초로 PC 및 노트북용 8GB 모듈 출시로 프리미엄급 노트북에도 최대 16GB 용량의 메모리 탑재가 가능해지는 등 그래픽, 멀티미디어 작업 등 많은 데이터를 처리하는 전문가들에게 큰 호응을 얻을 것으로 전망된다.

또한 서버용 32GB 모듈 출시로 대용량 메모리 솔루션을 필요로 하는 서버 업체들이 초기에 최소 비용으로 적정 용량의 메모리를 탑재한 후 필요할 때마다 시스템의 메모리 용량을 늘릴 수 있게 된다.

이에 따라 서버업체들은 시스템 투자의 유연성을 확보할 수 있어 시스템에 대한 투자 효율을 극대화 할 수 있게 된다.

4Gb DDR3 D램 탑재 모듈은 기존 동일 용량의 모듈 제품에 비해 소비 전력이 35% 가량 절감되어, 초절전 ‘그린 메모리’ 전략을 더욱 강화할 수 있다.

서버에서 총 96GB 용량의 D램 메모리를 사용할 경우, 60나노급 1Gb DDR2 D램을 사용한 모듈은 210W의 전력을 소비하는데 비해 40나노급 2Gb DDR3 D램은 55W로 약 75%를 절감할 수 있다. 40나노급 4Gb DDR3 D램은 36W에 불과해 60나노급 제품 대비 약 83%, 40나노급 2Gb DDR3 D램 대비 추가로 35% 절감할 수 있다.

또한 대규모로 전력을 소비하는 데이터 센터에서 공조시스템을 포함한 전체 소비전력을 추가로 10% 정도 더 절감할 수 있다.

삼성전자 반도체사업부 메모리전략마케팅팀장 전동수 부사장은 “지난 해 7월부터 40나노급 2Gb DDR3 D램을 양산하면서 DDR3 시장을 지속적으로 확대시켜 나가고 있는 가운데, 불과 7개월 만에 용량이 두 배인 4Gb DDR3 D램을 양산하게 돼 프리미엄급 PC, 노트북, 서버 등 대용량 메모리를 원하는 고객들의 요구를 맞출 수 있게 됐다”고 밝혔다.

또한 그는 “특히 이번에 양산하는 4Gb DDR3 D램은 대용량이면서 최저 소비전력을 구현함으로써 많은 양의 메모리를 탑재하는 서버 업체 뿐 아니라, 이제 PC에서도 소비자들이 만족할 수 있는 고성능·저전력 메모리 솔루션을 제공하게 되어 그 의의가 매우 크다”고 덧붙였다.

삼성전자는 작년부터 미국 EPA가 주도하고 있는 ‘Energy Star’ 프로그램에 참여해 저전력 서버 개발을 위한 ‘그린 메모리 솔루션’을 제시하는 등 적극적인 ‘그린 메모리’ 활동을 전개해 나가고 있다.

회사측은 이번 4Gb DDR3 D램 양산과 함께 40나노급 DDR D램 비중을 적극적으로 확대해, 서버 및 PC 용으로 공급하는 D램 중 40나노급 제품의 비중을 상반기에 90% 이상까지 끌어올려 고객들에게 안정적인 공급 능력을 확보할 계획이다.

또한 향후에도 차별화된 기술로 D램 제품의 경쟁력을 높이고 30나노급 D램 등 차세대 제품을 선행 양산해 업계 최고의 기술 리더십 및 경쟁력 우위를 유지해 나갈 계획이다.