하이닉스반도체(대표이사:권오철)는 휴렛팩커드(HP)와 차세대 메모리 제품인 Re램(Resistive Random Access Memory, 저항변화 메모리) 상용화를 위한 공동개발 계약을 체결했다고 1일 밝혔다. Re램은 두 개의 금속전극 사이에 절연막을 삽입한 매우 간단한 구조의 메모리 소자로 전기적인 저항특성이 외부 인가전압 혹은 전류에 의해 변화하는 원리를 이용한 차세대 비휘발성 메모리.

이번 계약은 Re램 구현 방법 중 하나인 HP의 멤리스터 기술력과 하이닉스의 메모리 반도체 기술경쟁력을 기반으로 이루어진 협력으로 하이닉스 R&D 팹에서 상용화를 위한 공동개발이 진행될 예정이다. 이에 따라 하이닉스는 Re램에 대한 상용화 기술력을 확보하게 되고, HP는 상용화된 Re램을 우선적으로 공급받을 수 있게 된다.

멤리스터 기술은 차세대 메모리인 Re램을 구현하는 방법 중 하나다.

HP 연구소 소장인 스탠 윌리암스(Stan Williams)는 "이번 공동개발을 통해 HP의 혁신적인 기술이 선두 메모리 회사인 하이닉스를 통해 세계 시장에 대량으로 공급될 수 있을 것으로 기대된다"고 전했다.

하이닉스 CTO 박성욱 부사장은 “기존에 개발 중인 P램, STT-M램과 더불어 HP와의 Re램 공동개발로 차세대 메모리 분야에서도 경쟁력을 더욱 강화할 것”이라고 밝혔다.