삼성전자가 세계 최초로 50나노급 공정을 적용한 업계 최대용량 4기가비트(Giga bit) DDR3 D램을 개발했다고 29일 밝혔다.
 
삼성전자는 2007년 세계 최초로 60나노 공정 2기가비트 DDR2 D램 개발로 본격적인 고용량 D램 시대를 열었고, 지난해 9월 50나노 공정 2기가비트 DDR3 D램을 최초 개발한 데 이어, 5개월 만에 두 배 용량인 4기가비트 DDR3 D램 제품을 내놓았다.
 
이로써 삼성전자는 DDR3 4Gb/2Gb/1Gb/512Mb, DDR2 1Gb/512Mb 등 업계에서 가장 많은 50나노 D램 제품군을 확보하게 됐다.

4기가비트(GB)  DDR3 D램은 서버용 16기가바이트(Giga Byte) RDIMM, 워크스테이션과 데스크탑 PC용 8기가 바이트(GB) UDIMM, 노트북용 8기가바이트(GB) SODIMM 등 대용량 모듈 개발에 적용되며, 패키지 적층 기술(DDP: Double Die Package)을 적용하면 32 GB 모듈 개발도 가능하다.
 
삼성전자는 최근 서버 시스템 당 메모리 탑재 용량이 매 2년마다 약 2배로 증가하는 추세를 보이고 있어 고용량 메모리에 대한 수요도 증가할 것으로 내다봤다.
 
4GB DDR3 D램은 50나노 공정 및 저전력 설계 기술을 적용해 1.35V에서 최대 1.6Gbps(초당 1,600 메가비트)의 데이터 처리 속도를 구현, 기존 DDR3 D램 1.5V 동작 대비 약20% 정도 성능이 향상됐다.
 
또 4GB DDR3를 활용하면 공정과 제조 원가 측면 뿐만 아니라 전력 소비 측면에서 더 큰 강점을 발휘할 수 있어, 친환경적이고 효과적인 저전력 메모리 솔루션을 제공할 수 있다.
 
예를 들어 16GB D램 모듈을 제작할 경우, 1GB D램은 단품 144개를 탑재하지만, 2GB D램은 72개로 전력 소비를 40% 이상 절감할 수 있고, 4GB D램의 경우는 36개로 제작할 수 있어 2GB D램 대비 40% 이상 전력 소비를 절감할 수 있다. 4GB D램 탑재로 1GB D램을 비교하면 총 70%까지 전력 소비를 줄일 수 있게 된다.
 
삼성전자 관계자는 “데이터 센터(Data Center) 등 많은 서버를 설치하는 응용처의 경우, 저전력 메모리를 탑재하면 단순히 전기료를 줄이는 1차적인 효과뿐만 아니라, 열 방출 장비나 Power 공급 설비의 설치·유지·보수 비용 절감과 공간 절약 등 2차적인 경비 절감 효과도 볼 수 있다”고 밝혔다.
 
또 “전력 절감 효과는 서버에서 장착하는 메모리 용량이 커지면 커질수록 더욱 확대된다”며 “고용량 메모리 시장의 확대에 따라 4GB D램 수요는 더욱 증가할 것”이라고 내다봤다.
 
삼성전자는 1992년에 세계 최초로 64메가비트 D램을 개발해, D램 시장 정상에 오른 이래 256메가비트, 1기가, 2기가 D램 등 차세대 D램 제품을 잇따라 최초 개발하면서 D램 시장에서 기술 리더십을 지켜왔다.
 
삼성전자 관계자는 “앞으로도 서버 시장에서 PC시장에 이르기까지 차세대 고용량·고성능 제품을 선행 개발해 다양한 고객의 요구에 대응하고, 프리미엄 메모리 시장을 지속적으로 창출하며 고부가가치 D램 매출을 확대해 경쟁 우위를 지속 유지해 나갈 계획이다”고 밝혔다.
 
한편, 반도체 시장 조사기관인 IDC에 따르면 세계 DDR3 D램 시장 규모는 비트(Bit) 기준으로 전체 D램 시장에서 2009년 29%, 2011년 75%를 차지하게 되고, DDR3 D램 중 2GB 이상의 비중도 Bit(1Gb) 기준으로 각각 2009년 3%, 2011년 33%를 점유할 것으로 전망됐다.