하이닉스반도체는 13일 세계에서 처음으로 40나노급 기술을 적용한 모바일 D램 제품인 2Gb(기가비트) 모바일 D램(LP DDR2)을 개발하는데 성공했다고 발표했다.

40나노급 초미세 공정이 적용된 2Gb급 제품인 이 반도체는 모바일 제품 가운데 가장 낮은 1.2V로 동작이 가능하다.

전력 소비규모를 따져보면 기존 모바일 제품인 LP DDR의 절반 정도이며 PC DDR 제품의 30% 수준이어서 휴대전화나 디지털 카메라, MP3 플레이어, 네비게이션 등 모바일 제품에 적합하다.

특히 정보기술(IT)업계의 최대 관심사인 스마트폰, 스마트북, 태블릿 PC 등에도 지원이 가능하다.

데이터 전송속도도 최대 1천66Mbps(메가비트 퍼 세컨드)로, 보통 영화 5~6편을 1초에 다운받을 수 있는 수준이라고 하이닉스 측은 설명했다.

회사 측은 올해 상반기내 제품 양산을 시작할 계획이다.

하이닉스 관계자는 "지난해 세계 최초로 50나노급 2Gb LP DDR과 초고속 1Gb LP DDR2 등 고사양 모바일 D램을 연달아 출시하는 등 지속적으로 모바일 분야 사업을 강화해왔다"며 "앞으로도 고용량화, 저전력화, 고속화로 급변하는 모바일 시장을 선도할 방침"이라고 밝혔다.

하이닉스는 범용 D램 생산은 최소화하고 모바일 D램 등 고부가가치 제품 생산을 늘려 세계 모바일 D램 시장 점유율을 2007년 7.1%에서 올해 30% 이상으로 확대한다는 목표를 세우고 있다.