하이닉스반도체가 올해 투자금액을 확대한다.

하이닉스는 올해 투자금액과 관련해 기존 2조3000억 원에서 7500억 원 늘어난 3조500억 원으로 확대한다고 31일 공시했다.

하이닉스는 "견조한 수요를 바탕으로 최근 메모리반도체 시장환경이 변화되고 있는 가운데 서버·그래픽·모바일 등 고부가가치 제품에 대한 고객 요구에 적극적으로 대응하기 위한 것"이라고 투자확대 배경을 설명했다.

또 차세대 제품 개발을 위한 연구개발(R&D)에도 투자를 확대해 기술경쟁력을 강화한다는 전략이다.

하이닉스는 이번 투자로 40나노급 D램 공정전환을 가속화한다는 방침이다. 현재 경쟁사 대비 약 15% 수준인데, 연말까지 약 50% 수준으로 확대할 예정이다. 40나노급 D램은 50나노급 대비 생산성이 50% 이상 향상돼, 원가경쟁력 및 기술경쟁력 강화 등이 기대된다.

이 같은 하이닉스의 공격투자는 삼성전자가 올해 반도체에만 11조 원을 투자하겠다고 발표한 것과 무관치 않은 것으로 풀이된다. 하이닉스의 주력인 메모리반도체를 삼성전자가 '독식'할 수 있는 상황이 있을 수 있다는 것.

이와 함께 이번 투자 발표는 업황 및 기술력에 대한 자신감으로도 읽힌다.

최근 업계 및 시장 일각에서는 반도체 공급과잉 우려가 나오기도 하지만, 사실상 주력인 DDR3 D램에서는 삼성전자와 하이닉스 등 국내업체들이 절대우위인 덕에 그 영향이 크지 않을 것으로 관측된다. 오히려 프리미엄 제품의 시장 지배력을 높이는 계기가 될 것이란 풀이다.

비슷한 맥락에서, 권오현 삼성전자 반도체사업부장(사장)은 지난 27일 서울 장충동 신라호텔에서 열린 세계반도체협의회(WSC) CEO 회의에서 취재진과 만나 "공급과잉이 올해 안에는 일어나지 않을 것으로 본다"라고 말했다.

하이닉스 관계자는 "현재 수요가 꾸준해 거기에 적극 대응하기 위한 투자"라며 "아직까지 공급과잉에 대한 우려는 크지 않은 상황"이라고 말했다.

이 관계자는 이어 "미세공정으로의 전환을 가속화하고, 차세대 제품 개발역량을 집중함으로써 경쟁사들과의 격차를 벌려 나갈 것"이라고 덧붙였다.