하이닉스 반도체가 미국의 컴퓨터 제조업체인 HP사와 차세대 메모리 제품인 Re램(저항변화 메모리)상용화하기 위한 공동개발 계약을 체결했다고 1일 밝혔다.

Re램은 두 개의 금속전극 사이에 절연막을 삽입한 메모리 소자로, 전기적인 저항특성이 외부 인가전압 혹은 전류에 의해 변화하는 원리를 이용한 차세대 비휘발성 메모리다.

이번 계약은 하이닉스 연구개발(R&D) 팹에서 공동개발이 진행되며 멤리스터란 차세대 메모리인 Re램을 구현하는 방법과 하이닉스의 메모리반도체 기술을 적용하여 Re램을 실제 시장에 내놓기 위해 체결했다.

하이닉스와 HP사가 공동개발하려는 Re램은 현재의 낸드플래시보다 100배 이상 빠르고, 많은 정보를 저장하고 있다. 전력소요도 적어 모바일 시대에 적합한 메모리로 기대된다고 하이닉스는 밝혔다.

스탠 윌리엄스 HP 연구소장 “이번 공동개발을 통해 HP의 혁신적인 기술이 메모리업체인 하이닉스를 통해 세계시장에 대량으로 공급될 수 있을 것으로 기대된다”고 말했다.

박성욱 하이닉스 최고기술책임자(CTO) 부사장은 "기존 개발 중인 P램, STT-M램과 더불어 HP와의 Re램 공동개발로 차세대 메모리 분야에서도 경쟁력을 더욱 강화할 것”이라고 말했다.