삼성전자가 업계 최선단(최소 선폭) 12㎚(나노미터·10억분의 1ｍ)급 공정으로 16기가비트(Gb) DDR5 D램 양산을 시작했다고 18일 밝혔다.

D램 미세 공정 경쟁에서 업계 1위의 기술 경쟁력을 확고히 하며 다가올 업턴(상승 국면)에 대비한다는 계획이다.

12나노급 공정은 5세대 10나노급 공정을 의미한다. 삼성전자는 자사의 미세 공정 기술력을 강조하기 위해 '12나노'라는 구체적 선폭을 공개했다.

▲ 삼성전자 12나노급 D램. [연합뉴스 제공]

삼성전자 12나노급 D램은 최선단 기술을 적용, 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다.

소비 전력은 약 23% 개선돼 데이터센터 등을 운영하는 데 있어 전력 운영 효율을 높일 수 있다.

삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재를 적용해 전하를 저장하는 커패시터의 용량을 늘렸다고 설명했다. D램은 커패시터에 저장된 전하로 1과 0을 구분하기 때문에 커패시터 용량이 커지면 데이터 구분이 명확해지고 데이터가 확실하게 구분돼 오류가 발생하지 않는다.

이와 함께 동작 전류 감소 기술과 데이터를 더 확실하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술 등도 적용했다.

DDR5 규격의 12나노급 D램은 최고 동작 속도 7.2Gbps(초당 기가비트)를 지원한다.

이는 1초에 30기가바이트(GB) 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다.

삼성전자는 12나노급 D램에 대해 지난해 12월 AMD 플랫폼 기반 호환성 검증을 마치고 글로벌 IT 기업들과의 협력을 통해 차세대 D램 시장을 견인하고 있다.

앞서 2020년 3월 업계 최초로 극자외선(EUV) 공정을 적용한 D램을 양산했고, 2021년 업계 최선단 14나노 EUV DDR5 D램을 양산하는 등 과감한 투자와 기술 혁신을 기반으로 반도체 미세화를 주도하고 있다.

글로벌 경기 침체 여파로 D램 메모리 시장이 극심한 불황에 시달리고 있지만 업계에서는 내년부터 다시 성장세로 돌아설 것으로 보고 있다.

시장조사업체 옴디아에 따르면 글로벌 D램 시장(매출 기준)은 올해 443억2천200만달러 규모로 작년 대비 44.1% 감소할 것으로 예상된다.

다만, 내년 15.3%, 2025년 49.1%, 2026년 24.2%, 2027년 3.9% 증가하며 2027년에는 983억3천400만달러 규모로 올해 대비 2배 이상으로 커질 전망이다.

삼성전자는 작년 4분기 전체 D램 시장에서 점유율 42.7%를 기록하며 1위 자리를 지키고 있다. 특히 D램 매출 비중이 가장 큰 서버 시장에서도 점유율 1위(40%)를 기록하고 있다.

이런 가운데 업계에서는 2025년부터 더 많은 메모리가 필요한 인공지능(AI) 중심의 데이터센터가 메모리 시장을 주도할 가능성이 높을 것으로 예상하고 있다.

이에 따라 삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12나노급 D램 라인업을 확대해 데이터센터·AI·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다.