삼성전자가 AI 시대를 맞아 대용량 서버와 SSD를 지원하는 1Tb(테라비트) 낸드플래시를 출시한다.

삼성전자는 최근 QLC 9세대 V낸드 제품을 업계 최초로 양산하기 시작했다고 12일 밝혔다.

QLC는 하나의 셀에 4bit(비트) 데이터를 기록할 수 있는 구조로, 이를 통해 1조 비트 규모를 구현한 것이 1Tb 칩이다.

지난 4월 삼성전자는 하나의 셀에 3bit를 기록하는 TLC 낸드를 최초 양산한 바 있으며, 이번에 차세대 QLC를 공개하며 낸드플래시 성능을 한 단계 더 끌어올렸다.

특히 이번 9세대 V낸드는 자체 개발한 '채널 홀 에칭' 기술을 활용해 더블 스택 구조로 업계 최고 단수를 구현해냈다.

채널 홀 에칭은 반도체를 순차적으로 적층하고 전자 이동을 위한 ‘홀’을 만드는 기술이며, 이를 두 번 적용하면 더블 스택이 된다.

삼성전자의 QLC 9세대 V낸드 [삼성전자 제공]

삼성전자는 QLC 낸드의 장점으로 이전 세대 대비 약 86% 증가한 업계 최고 수준의 비트 밀도를 꼽았다.

낸드플래시 적층 단수를 높여도 층간·층별 셀 특성을 균일하게 유지하지 못하면 비트 밀도가 떨어지는데, 삼성전자는 디자인드 몰드 기술을 통해 밀도 한계점을 극복했다는 설명이다.

디자인드 몰드란 셀을 동작시키는 배선의 간격을 조절해 적층하는 기술로, 비트 밀도를 높임과 동시에 데이터 보존 성능도 약 20% 높이는 효과가 있다.

이외에도 이번 낸드플래시에는 셀의 상태 변화를 예측하고 불필요한 동작을 최소화하는 ‘예측 프로그램’ 기술이 개선되면서 기존보다 쓰기 성능은 100%, 데이터 입출력 성능은 60% 이상 향상된 것으로 알려졌다.

또 낸드 셀을 구동하는 전압을 낮추고 필요한 부분만 선택적으로 활용해 데이터 읽기·쓰기에 필요한 소비 전력도 각각 30%, 50% 감소했다.

삼성전자 메모리사업부 허성회 부사장은 "이번 제품은 AI용 고성능, 고용량 SSD 시장이 요구하는 성능에 선제적으로 대응한 것"이라고 말했다.

이어 "향후 기업용 SSD 시장 수요를 성공적으로 대응해 글로벌 리더십을 공고히 하겠다"라는 포부를 밝혔다.