SK하이닉스가 5세대 고대역폭메모리 HBM3E의 16단 제품을 출시한다.

이는 세계 최초 사례로, 지난달 12단 HBM3E 양산을 시작한 데 이어 경쟁력을 한층 더 끌어올린다는 계획이다.

SK하이닉스는 지난 4일 개최한 ‘SK AI 서밋’ 행사에서 최초로 HBM3E 16단 제품을 소개했다고 5일 밝혔다.

이날 곽노정 SK하이닉스 사장은 16단 집적 반도체가 본격적으로 개발될 6세대 HBM4에 선제적으로 대응해 먼저 HBM3E부터 48GB(기가바이트) 16단 제품을 개발한다고 밝혔다.

이르면 내년 초 샘플이 공개될 16단 제품은 지난달 출시된 12단 제품에서 경쟁력이 입증된 ‘어드밴스드 MR-MUF 공정’이 적용된다.

차세대 16단 HBM3E 제품 개발을 발표하는 SK하이닉스 곽노정 사장 [SK하이닉스 제공]

MR-MUF는 반도체 칩을 높게 쌓았을 경우 칩 사이 회로의 안정성을 높이는 기술이며, 제품 성능과 내구성의 핵심이 되는 기술이다.

이를 통해 HBM3E 16단 제품은 전작보다 AI 학습 분야에서 18%, 추론 분야에서는 32%의 성능 향상 효과를 보였다.

향후 SK하이닉스는 D램과 낸드플래시 전반에 AI 메모리 제품 라인업을 구축해 ‘풀스택 AI 메모리 프로바이더’로 성장하는 것이 목표다.

SK하이닉스 관계자는 “용량과 대역폭, 부가 기능 등 고객의 다양한 요구를 충족하는 맞춤형 HBM을 제공할 것”이라고 말했다.

또 “PC와 데이터센터에 활용이 가능한 1c나노 기반 LPDDR5와 LPDDR6를 개발 중이다”라고 덧붙였다.