SK하이닉스가 세계 최고 수준의 1Tb(테라비트) 규격 321단 TLC 4D 낸드플래시 메모리를 양산한다고 21일 밝혔다.

낸드는 한 개의 셀에 몇 개의 정보를 저장하느냐에 따라 명칭이 바뀌는데, 이번 제품은 하나의 셀에 3개의 정보를 담을 수 있는 TLC 규격을 채택했다.

용량을 중요시한 ‘PLC’의 경우 5개의 정보까지도 담을 수 있지만, 그만큼 속도가 느려지는 문제가 발생한다.

반도체 칩을 쌓는 이유 역시 처리 속도와 전력 효율을 높이기 위함인데, 기존에는 기술적인 문제로 적층에 한계가 존재했다.

이에 SK하이닉스는 자체 개발한 ‘3-플러그’ 공정을 도입하면서 적층 한계를 극복했다,

해당 기술은 이 기술은 세 번에 나누어 플러그 공정을 진행하고, 이후 3개의 플러그를 전기적으로 다시 연결하는 방식이다.

현재 SK하이닉스의 주력 제품인 낸드플래시와 D램은 모두 AI 산업에 필수적이지만, 서로 사용 분야가 달라 둘 모두를 사용해야 한다.

낸드의 경우 많은 정보를 저장할 수 있고 적층률이 높지만 대신 D램과 비교해 속도가 느린 것이 특징이다.

이어 D램은 초고속 처리 능력과 제조 단가가 경제적이라는 장점이 있지만, 정보 저장 지속시간이 짧아 낸드와 달리 전원이 꺼지면 내부 정보가 전부 없어진다는 단점이 있다.

세계 최고층 321단 낸드플래시 메모리 [SK하이닉스 제공]

한편 SK하이닉스는 이전 세대인 238단 낸드의 개발 플랫폼을 321단에도 적용해 공정 변화를 최소화했고, 최종적으로 생산성을 59% 향상하는 데 성공했다고 밝혔다.

아울러 이번 321단 제품은 이전 세대보다 데이터 전송 속도는 12%, 읽기 성능은 13% 향상됐으며, 데이터 읽기 전력 효율도 10% 이상 높아진 것으로 나타났다.

SK하이닉스는 321단 낸드를 중심으로 AI 반도체 시장에서의 낸드 활용 범위를 점차 넓혀갈 수 있을 것으로 기대했다.

향후 SK하이닉스는 내년 상반기부터 321단 제품을 고객사에 공급할 방침이다.

SK하이닉스 최정달 부사장은 “이번 321단 낸드 양산을 통해 AI 데이터센터용 SSD와 온디바이스 AI 등 관련 시장 공략에 유리한 입지를 점했다”라고 강조했다.

이어 “HBM으로 대표되는 D램은 물론 낸드에서도 초고성능 메모리 포트폴리오를 갖춘 최정상급 AI 메모리 공급사로 도약할 것”이라는 포부를 밝혔다.