삼성전자가 세계 최초로 40나노급 (1나노 : 10억분의 1미터) 공정을 적용한 DDR2 D램 제품을 개발했다.
 
지난 2005년 60나노급 D램을 세계에서 가장 빨리 개발한 삼성전자는, 이어 2006년 50나노급 D램, 올해 40나노급 D램 제품을 최초로 개발했다고 4일 밝혔다. 이번 40나노급 D램 개발로 글로벌 경쟁사들을 1~2년차로 앞서가게 됐다.

이번에 개발된 40나노급 DDR2 제품은 D램 공급 업체 중 유일하게 작년 12월 인텔에 단품 채용 평가를 완료한 데 이어 올해 1월 1기가바이트(GB) DDR2 SoDIMM 모듈까지 2종의 제품 채용 평가를 완료했다.
 
삼성전자는 40나노급 1기가 DDR2 D램 개발 기술을 적용해, 40나노급 2기가 DDR3 제품을 올해 개발 완료하고 양산할 예정이다.
 
이는 50나노급에서 2006년 제품 개발 후 2008년 양산까지 약 2년 정도 걸렸던 것이, 공정이 더 미세해지는 40나노급에서 신제품 양산 기간을 1년 이상 단축하는 것이다.

삼성전자 관계자는 “이번 40나노급 DDR2 제품 개발은 현재 시장 상황을 적극적으로 타개해 나가고자 하는 전략이 담겨있다”고 전했다.
 
40나노급 2기가비트 DDR3 D램은 지난해 9월 양산을 시작한 50나노 2기가비트 DDR3 D램 대비 생산성을 약 60% 향상시킬 수 있어, 현재 50~60 나노급 D램을 양산하고 있는 D램 업체 대비 제조 경쟁력의 격차를 1~2년 이상으로 확대시킬 것으로 전망된다고 삼성전자는 전했다.
 
또 40나노급 D램은 50나노급 D램 대비 칩 면적 축소로 생산성이 향상될 뿐만 아니라, 저전력·저전압 특성을 더욱 강화할 수 있는 1.2V 동작이 가능하다.

기존 50나노급 1.5V D램 대비 약 30% 이상 소비전력 감소 효과까지 발휘할 수 있어, 40나노급 D램은 서버 등 고전력을 소비하는 응용처에서 더욱 유용한 친환경·고효율 에너지 솔루션을 제공할 수 있다.
 
삼성전자 관계자는 “40나노급 D램 시장을 선점함으로써 친환경 특성을 더욱 강화한 고부가가치 D램 시장을 창출하는 것은 물론, 향후 DDR4 등 초고속 스피드를 구현하는 차세대 고용량·고성능 제품을 선행 개발하여, 업계 최고의 기술 리더십을 확보하고 경쟁력 우위를 지속 유지해 나갈 계획이다”고 밝혔다.