삼성전자가 차세대 반도체 DDR3 D램 제품 양산을 시작했다.

삼성전자는 이달 말부터 세계 최초로 40나노(1나노 : 10억분의 1미터)급 미세 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램 제품을 본격적으로 양산한다고 21일 밝혔다.

지난 1월 세계 최초로 40나노급 공정을 적용한 D램을 개발한 데 이어 이번 달 말부터 본격 양산에 들어간 것.

40나노급 2기가비트 DDR3 D램은 지난해 9월 삼성전자가 최초로 양산한 50나노급 제품에 비해 생산성이 약 60% 정도 높다.

또 이 제품은 동작전압이 1.35V로, 기존 1.5V 제품에 비해 약 20% 정도 빠른 1.6Gbps의 빠른 데이터 처리 속도를 구현한다.

이밖에도 삼성전자는 또 생산 공정을 단순화하고, 생산 기간을 단축시키는 등 생산 효율을 높여 원가경쟁력을 강화했다.

삼성전자 측은 "40나노급 D램을 조기 양산함으로써 현재 고객들로부터 최고의 친환경 솔루션으로 호평받고 있는 50나노 2기가비트 DDR3 D램보다 고성능 제품을 제공하게 되어 제품 차별화를 더욱 강화했다"고 전했다.

삼성전자는 DDR3 시장 확대를 위해 ▲서버용 16기가바이트(GB) 및 8기가바이트 모듈(RDIMM) ▲워크스테이션, 데스크 탑 PC용 4기가바이트 모듈(UDIMM) ▲노트북 PC용 4기가바이트 모듈(SODIMM) 등 대용량 메모리 모듈 제품을 중점적으로 공급할 계획이다.

한편, 반도체 시장 조사기관인 아이서플라이에 따르면 비트(Bit) 환산 기준으로 전체 D램 시장에서 차지하는 DDR3 D램의 비중이 올해 20%에서 2012년 82%까지 급격하게 늘어날 전망이다.

2기가비트 D램은 DDR3 D램 시장에서 올해 5%에서 2010년 18%, 2012년 82%로 크게 성장할 것으로 전망된다.