삼성전자가 세계 최초로 20나노급 공정을 적용한 낸드플래시 메모리 양산에 들어갔다.

19일 반도체사업부 메모리담당 조수인 사장은 "이달부터 20나노급 공정으로 32GB MLC 낸드플래시를 양산하기 시작했다"고 밝혔다.
 
또한 "20나노급 MLC 낸드플래시의 전용 컨트롤러도 함께 개발해 최적의 성능을 구현했다"고 덧붙였다.

▲ 삼성전자 반도체사업부 조성희 연구원이 20나노급 낸드플래시 웨이퍼를 들어보이고 있다.

 
20나노급 MLC 낸드플래시는 'SD카드' 제품으로 먼저 출시됐다. 30나노급 MLC 낸드플래시보다 생산성이 약 50% 높고, 전용 컨트롤러 개발로 성능 향상은 물론 30나노급 낸드 제품과 동등 수준의 신뢰성도 확보했다는 설명이다.

▲ 20나노급 낸드플래시를 적용한 SD카드. <사진제공=삼성전자>

특히, 20나노급 낸드플래시 전용 컨트롤러를 탑재한 8GB 이상 용량의 SD 카드 제품은 메모리 카드 중에서 최고 쓰기 속도인 10MB/s 이상을 구현해 'Class 10' 규격을 만족한다.
 
회사측은 20나노급 MLC 낸드 제품의 생산 비중을 지속 늘려 4GB부터 64GB 용량의 제품까지 라인업을 운영할 예정이다.

또한 모비낸드(moviNAND™)까지 20나노급 MLC 낸드플래시를 순차적으로 적용해, 기존 30나노급 낸드플래시 시장을 적극 전환해 나갈 계획이다.
 
조 사장은 "생산성과 성능을 동시에 높인 20나노급 MLC 낸드플래시를 양산하게 되어 고성능·대용량 메모리를 안정적으로 공급해 달라는 고객들의 요구에 적극적으로 대응할 수 있게 됐다"고 말했다.
 
이어 그는 "올해에 20나노급 낸드플래시로 스마트폰용 대용량·고성능 프리미엄 내장 스토리지 시장은 물론 고성능 메모리 카드 시장을 선점해, 플래시 메모리 사업 경쟁력을 더욱 강화해 나갈 계획"이라고 밝혔다.