삼성전자가 업계 최초로 12나노급 32Gb(기가 비트) DDR5 D램을 개발했다고 1일 밝혔다.

삼성전자는 해당 제품이 D램 단일 칩 기준으로는 업계 최대 수치이며, 1983년 삼성전자가 처음 개발한 D램의 크기였던 64Kb(킬로비트)와 비교하면 50만 배의 차이가 난다고 전했다.

삼성전자는 지난 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산한 바 있으며, 이번 32Gb D램의 개발로 D램 미세 공정 경쟁에서 기술 리더십을 공고히 했다.

특히, 이번 32Gb 제품은 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현하여, 128GB(기가 바이트) 모듈을 TSV(실리콘 관통 전극) 공정 없이 제작할 수 있게 되었다.

TSV 공정이란 칩을 얇게 간 다음 수백 개의 미세한 구멍을 뚫어 상·하단의 칩 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 패키징 기술이다.

삼성전자가 개발한 현존 최대 용량 32Gb DDR5 D램 [삼성전자 제공]

기존 D램으로 128GB 모듈을 제작할 시 용량 확보를 위해 TSV 공정 사용이 필수적이었으나, 이번에 개발된 32Gb 제품은 추가적인 공정이 필요하지 않아 더 효율적이다.

또 동일 128GB 모듈 기준, 기존 16Gb가 사용된 제품보다 10% 이상 전력 절약이 가능해 데이터센터 등 전력 효율이 중요한 IT 업계에서 주요하게 쓰일 전망이다.

▲ 서울 삼성전자 서초사옥. [연합뉴스 제공]

삼성전자는 이번 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발을 통해 고용량 D램 라인업을 지속 확대해 나갈 계획이라고 밝혔으며, 해당 제품은 연내 양산이 시작될 전망이다.

삼성전자 메모리사업부 황상준 부사장은 "이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다"라고 전했다.

이어 "삼성전자는 향후에도 차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것"이라는 포부를 밝혔다.