하이닉스반도체는 54나노 기술을 적용해 세계 최고 성능의 1기가 바이트(Gb) 모바일  LPDDR2(Low Power DDR2) 제품을 개발했다고 27일 밝혔다.

이 제품은 세계 최초로 평균 1.2V의 저전압에서 초고속 데이터 전송속도인 1066Mbps를 구현할 수 있어 공정 기술, 전압 및 속도 측면에서 최고의 성능을 갖춘 모바일 D램 제품이다.

이 제품은 평균 1.2V의 저전압으로 동작하며 최대 1.14V까지 구현할 수 있어 1.8V를 사용하는 기존 모바일 D램의 50% 수준, PC DDR2 제품의 30% 수준의 전력으로 동작할 수 있다.

국제반도체표준협의 기구(JEDEC)의 규격을 만족하는 이 제품은 대기 전력 소모를 단축하면서 빠른 속도를 내 모바일 인터넷 디바이스, 넷북, 고성능 스마트폰 등의 모바일 애플리케이션에 적합하다.

또 하나의 칩에서 다양한 데이터 처리 속도 및 방식 지원이 가능한 '원 칩 솔루션' 기능도 제공돼 탑재되는 기기의 사양에 따라 변경해 사용할 수 있다.

하이닉스는 모바일 메모리 제품에 대한 고객들의 만족도가 높았던 만큼, 이번 세계 최고의 LPDDR2 제품 개발을 통해 모바일 메모리 시장을 선도할 계획이다.

한편, 이 제품은 올 3분기부터 양산될 예정이다.