삼성전자가 세계 최초 3D-TSV(Through Silicon Via)를 적용한 8GB(기가바이트) DDR3(Double Data Rate 3) DRAM을 개발했다.
 
삼성전자는 40나노급 2Gb(기가비트) DDR3 D램을 3D-TSV 기술로 적층한 칩을 탑재해 8GB DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory Module) 제품으로 개발했으며, 지난 10월 고객사 서버에 장착해 제품 성능 테스트를 완료했다고 7일 밝혔다.
 
3D-TSV 기술은 실리콘 웨이퍼를 수십 ㎛(마이크로미터) 두께로 얇게 만든 칩에 직접 구멍을 뚫고, 동일한 칩을 수직으로 적층하여 관통 전극으로 연결한 최첨단 패키징 기법이다.
 
이 패키징 방법은 쌓아 올린 칩을 와이어로 연결하는 기존 와이어 본딩(Wire bonding) 방식에 비해 빠르게 동작하는 것은 물론 칩의 두께를 줄이고 소비전력도 줄일 수 있다.
 
또한, 기존 제품에 비해 2~4배 큰 대용량을 구현할 수 있어, 서버에 탑재하는 메모리 용량을 늘여 서버 시스템의 성능을 최소 50% 이상 향상시킬 수 있다.
 
기존 2Gb 칩을 와이어 본딩 방식으로 적층한 대용량 RDIMM(4-Rank) 제품은 서버에서 800Mbps 속도로 동작하는데 비해, 3D-TSV 방식으로 적층한 대용량 RDIMM의 동작속도는 1,333Mbps로, 속도를 70% 향상시킬 수 있고, 소비 전력도 40% 이상 절감할 수 있다.
 
삼성전자는 내년 이후 4Gb 이상 대용량 DDR3 D램에도 3D-TSV 기술을 적용해, 32GB 이상 대용량 서버용 메모리 제품을 확대해 나갈 예정이다.
 
또한, 서버 업체는 물론 CPU, 컨트롤러 업체들과의 협력을 강화해 3D-TSV 서버 모듈 제품의 시장 기반을 더욱 넓혀 나갈 계획이다.
 
한편, 시장조사기관에 따르면 서버 시장에서 클라우딩 컴퓨터의 비중이 증대되고 있다. 서버당 탑재되는 소프트웨어의 수도 늘고 있어 향후 3년간 고성능 서버에 탑재되는 메모리 용량이 두 배 이상 증가될 것으로 전망하고 있다.