SK하이닉스가 메모리 업계 최초로 차세대 노광 장비인 ‘High NA EUV’를 양산용으로 도입했다.

SK하이닉스는 경기도 이천 M16 팹(Fab)에서 기념행사를 열고 네덜란드 ASML의 ‘트윈스캔 EXE:5200B’를 반입했다고 3일 밝혔다.

High NA EUV는 기존 EUV 장비보다 수치 개구수(NA)가 커져 해상도가 크게 향상된 차세대 노광 장비다.

NA는 렌즈가 빛을 얼마나 모을 수 있는지를 나타내는 수치로, 값이 클수록 더 정밀한 회로 패턴 구현이 가능하다.

이번 장비는 기존 EUV 대비 40% 향상된 광학 기술을 적용해 1.7배 더 정밀한 회로 형성과 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다.

반도체 제조에서 미세 공정 기술 고도화는 생산성과 성능을 동시에 높이는 핵심 요소로, 회로를 더 정밀하게 새길수록 더 많은 칩을 생산하면서도 전력 효율은 높아진다.

SK하이닉스는 이번 장비 도입으로 기존 EUV 공정을 단순화하고, 차세대 D램 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보할 수 있을 것으로 기대했다.

EUV는 지난 2021년 10나노급 D램 제작을 위해 SK하이닉스에 도입된 것으로 알려졌다.

SK하이닉스 관계자는 “향후 반도체 시장에서 요구될 극한 미세화와 고집적화를 위해서는 기존 EUV를 넘어서는 차세대 기술이 필요하다고 판단했다”라고 말했다.

ASML관계자는 “반도체 산업의 미래를 열 차세대 EUV로 SK하이닉스와 함께 메모리 혁신을 앞당기겠다”라는 포부를 밝혔다.

ASML 차세대 노광장비 [ASML 제공]

한편 이번 차세대 장비 도입은 단순히 생산 공정 고도화 차원을 넘어, 기술 경쟁 주도권 강화를 위한 것으로 볼 수 있다.

지난해에도 SK하이닉스는 약 2조 원을 투자해 EUV 노광 장비 8대를 추가 도입, 현재 총 13대를 보유하고 있으며, 노광 능력이 기존보다 두 배 이상 확대됐다.

아울러 AI, 빅데이터, 클라우드, 고성능 컴퓨팅(HPC) 분야 기술이 발달함에 따라 저전력 고성능 칩의 수요도 크게 늘고 있다.

다만 EUV 장비 공급망에 대한 글로벌 의존도는 잠재적 리스크로 남아 있는 상황이다.

현재 EUV 장비는 글로벌 시장에서도 네덜란드 ASML이 사실상 독점 공급하고 있으며, 올해 ASML의 매출 목표는 약 41조 원에 달하는 것으로 알려졌다.

ASML에 대한 장비 주문이 급증하는 상황에서 장비 공급이 지연될 경우 산업에 큰 영향을 줄 수 있다는 우려의 목소리도 나온다.

끝으로 EUV 장비는 광학, 진공, 레이저, 나노가공 등 첨단 기술이 총집약된 장비이기 때문에 소재·부품·장비(소부장) 산업과의 연계도 중요하다.

이에 국내 반도체 업체들은 장비 효율화와 소재 개발 협력을 통해 EUV 공정 생태계를 강화하는 분위기다.