극자외선(EUV·Extreme Ultra Violet) 공정이 낸드플래시 성능 향상의 요인으로 지목되고 있다.

7일 업계에 따르면 대만 시장정보업체 트렌드포스는 2021년 기술·산업 트렌드 10대 전망 중 하나로 반도체 D램 EUV 공정 도입을 꼽았다.

EUV 노광 기술은 파장이 짧은 극자외선 광원으로 웨이퍼에 반도체 회로를 새기는 기술로, 기존 공정으로는 할 수 없는 초미세 회로 구현이 가능하다.

반도체 회로 선폭이 좁을수록 소비전력이 감소하고 처리 속도가 향상되기 때문에 필수 기솔로 지목된다.

앞서 삼성전자는 올해 초 업계에선 처음으로 D램 생산에 EUV 공정을 적용해 1세대 10나노급(1x) DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈을 생산하기도 했다.

트렌드포스는 "3대 D램 제조사인 삼성전자·SK하이닉스·마이크론은 3세대 10나노급(1z), 4세대 10나노급(1a) 미세공정 기술뿐 아니라 2021년부터는 삼성을 필두로 EUV 시대에 공식 진입할 것"이라고 예상했다.

▲ 이재용 부회장이 중국 산시성에 위치한 삼성전자 시안반도체 사업장을 찾아 생산 라인을 살펴보는 모습. 사진: 삼성전자.

◆ 유럽 출장 나선 이재용 부회장...주목받은 EUV

이런 가운데 삼성전자 이재용 부회장이 지난 8일 대한항공 전세기를 이용해 유럽으로 출국했다. 삼성전자에 따르면 이 부회장은 약 1주일 간의 일정으로 네덜란드를 거쳐 스위스 등 유럽의 기업인들을 만나 비지니스 미팅을 할 것으로 전해졌다.

업계는 네덜란드에는 반도체 장비기업 ASML이, 스위스에는 반도체 회사 ST마이크로일렉트로닉스가 있는 만큼 유럽 일대 글로벌 반도체 및 통신 기업들과 만나 사업 방향 등을 논의할 것으로 예상했다.

여기에는 낸드플래시 성능 향상의 요인으로 지목받는 EUV가 뒤에 있다는게 업계의 관측이다.

ASML은 세계에서 유일하게 EUV 노광기를 독점공급하는 업체로 삼성전자와 파운드리 업계1위 TSMC에게 있어 중요한 업체다.

이를 두고 이 부회장이 EUV 노광기 확보가 앞으로 치열해질 것을 대비해 직접 뛰어든 것으로 업계는 보고 있다.

삼성전자가 지난 8월 세계 최대 규모의 반도체 공장인 평택 2라인은 '반도체 초격차' 달성을 위한 핵심적 역할을 할 예정이다.

이 곳에선 반도체 업계에서 최초로 EUV(극자외선) 공정을 적용한 첨단 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램을 생산한다.

삼성전자와 TSMC의 파운드리 경쟁이 치열져가는 가운데 EUV 노광기 확보가 삼성전자 반도체 초격차의 열쇄가 될 것으로 보인다.

한편 이 부회장은 유럽 출장 이후 곧바로 아시아 지역 출장도 검토중인 것으로 전해졌다. 베트남 현지 소식통 등에 따르면 이재용 부회장은 이달 중 베트남 하노이와 호찌민에 위치한 삼성전자 공장 등을 방문할 것으로 알려졌다.

날짜는 유동적이나 이달 19일이 유력하게 거론되고 있다.

ASML 제공