[재경일보 김상고 기자] 삼성전자가 올해 20나노급 메모리를 양산한 데 이어 내년 이후에는 DDR4 D램 등 차세대 메모리를 양산하는 등 그린 메모리 시장을 지속적으로 확대할 방침이다.

삼성전자는 18일(현지시각) 미국 캘리포니아 하프문베이에서 세계 각국의 IT기업 최고정보관리책임자(CIO)를 대상으로 '삼성 반도체 CIO 포럼'을 열고 이 같은 계획을 발표했다.

이 자리에서 삼성 전자는 올해 1.2V DDR3 D램과 20나노급 4GB DDR3 D램, 20나노급 고성능 낸드를 탑재한 엔터프라이즈 SSD 제품을 출시하는 등 미세 공정화를 통해 소비전력을 최소화한 그린 메모리 라인업을 대폭 확대할 예정이라고 소개했다.

또 2012년 이후에는 차세대 DDR4 D램과 3D-TSV D램, 400GB 이상대용량 초고속 엔터프라이즈 SSD 솔루션을 통해 프리미엄 메모리 시장을 성장시켜 나갈 계획이라고 밝혔다.

삼성전자는 "그린 메모리를 도입하면 비용 절감에 따른 효율 극대화는 물론, 환경 문제 해결에도 이바지할 수 있다"고 강조했다.

또 삼성전자는 "서버 시스템의 D램·스토리지를 그린 DDR3·그린 SSD로 대체하면 서버 시스템 성능은 약 2배 올라가고 전력 소비는 89%가량 줄일 수 있다"고 설명했다.

서버업체 델(Dell)사와 공동으로 개최한 이번 포럼에는 인텔, 야후, 오라클 등 120여개 글로벌 IT업체에서 180여명의 전문가가 참석했다.

삼성전자 관계자는 "행사장에서는 참석자들의 뜨거운 관심을 느낄 수 있었다"며 "그린 메모리 솔루션이 지속성장을 위한 핵심 기술로 인정 받고 있는 것"이라고 말했다.